Seznam kapitol
Nemáte-li čas neustále sledovat dění v oblasti IT, ale přesto chcete být v obraze, pak vám pomůže přehled toho nejdůležitějšího, co se za právě uplynulý měsíc prosinec stalo.
Paměti DRAM
Výrobcům NAND flash pamětí rostou zisky
Flash paměti NAND přináší jejich výrobcům obrovské zisky. Společnost
Samsung
sice ztratila 5 % podílu, ale i tak je světovou jedničkou a její zisk v tomto odvětví činil 1,7 miliardy dolarů.
Hynix
zvýšil své zisky o 79,1 % na výsledných 806 milionů amerických dolarů,
Micron
o 75,5 % na 285,4 milionu a
Intel
o 47,9 % na celkových 132 milionů dolarů. Paměti NAND dále zlevňují, ale předpokládá se, že časem narazí na podobný problém jako dnes DRAM paměti, které způsobují výrobcům obrovské ztráty díky nadvýrobě.
GDDR5 paměti již na 6 GHz
Dnešní vzorky
GDDR5
pamětí pracovaly maximálně na frekvenci 5 GHz, teď
Samsung
posunul hranici na
6 GHz
, což je více než dvojnásobek toho, čeho jsou dnes schopny GDDR4 paměti. Při frekvenci 6 GHz a 32-bitovém zapojení nabízí přenosovou rychlost
24 GB/s
a stačí jim k tomu napětí
1,5 V
. Předpokládá se, že v roce 2010 již bude 50% high-end grafik vybaveno těmito pamětmi.
Nová řada pamětí Patriot Viper
Patriot uvedl širokou nabídku paměťových modulů
Viper
. Ty jsou vybaveny pokročilými chladiči z ACC (slitina mědi a hliníku). Chlazení má
o 90 %
lépe rozptylovat teplo a snížit teplotu čipů až
o 20 %
. K dispozici jsou
DDR2-800
paměti (CL3-4-3-8, 2,3 V) v kapacitách DC kitů 2 GB a 4 GB, dále
DDR2-1066
(CL5-5-5-15, 2,3 V),
DDR2-1150
a
DDR2-1200
paměti shodně s CL5-5-5-12 a 2,3 V. Poslední tři zmiňované skupiny jsou k mání pouze jako 2GB DC kity. Nabídka obsahuje i DDR3 paměti. Nabídka začíná u
DDR3-1333
modulů (CL7-7-7-20, 1,7 V) v kapacitách dual channel kitů 2 GB i 4 GB.
DDR3-1666
paměti využívají napětí 1,9 V, ale liší se časováním. 2GB DC kit nabízí hodnoty CL7-7-7-18, 4GB kit už má CL7-7-7-20. Posledními jsou
DDR3-1866
moduly s časováním CL8-8-8-24 a napětím 1,9 V. Ceny nebyly v době uvedení známy.
TwinMOS uvedl DDR3-1333 paměti SO-DIMM
Přestože žádné mobilní procesory ještě s
DDR3-1333
pamětmi neumí pracovat, společnost
TwinMOS
takové moduly uvedla. Měly by být nabízeny v kapacitách 512 MB a 1 GB. Pracovní napětí činí
1,5 V
, čímž by měla být zajištěna poměrně příznivá spotřeba elektrické energie.
Micron vyrábí DDR2 paměti 68nm technologií
Nový proces zvaný
6F2
značí výrobu
68nm
technologií, která má nahradit nynější 80nm výrobu. Čipy o kapacitě
1 Gb
tak mají plochu
56 mm2
. Společnost tím sníží náklady a hovoří se také
o 20%
snížení spotřeby. Masová produkce začne na začátku roku 2008, další čipy (např. DDR3) vyráběné touto technologií přijdou na trh až v druhé polovině roku 2008.
XMP moduly od OCZ: DDR3-1800
XMP
(eXtreme Memory Profile) moduly jsou určené pro nové čipové sady Intelu, kde se očekává vysoký výkon a možnost přepínat se mezi více nastaveními časování pamětí. Paměti nabízí dvoje nastavení,
CL8-8-8
a výkonnější
CL7-7-7
. Jsou k dispozici jako 1GB moduly, případně jako 2GB dual-channel kit. Vyžadují na DDR3 čipy velmi vysoké napětí
2,05 V
, záruka je doživotní.
Samsung prodává GDDR2 čipy za 50 centů
Pouhých
50 centů
místo obvyklého dolaru čtyřiceti chce Samsung za své
256Mbit GDDR2
čipy. Patrně se chce zbavit stávajících zásob, neboť nově příchozí grafické karty už budou přecházet na čipy novějších technologií. Konkurence se pochopitelně bouří, neboť ji Samsung nutí jít s cenou také dolů a tím snížit zisky, resp. ještě zvýšit ztrátu.
Walton Chaintech uvedl DDR3-2000 paměti
Jedná se o prozatím nejrychlejší DDR3 paměti na trhu. Při frekvenci
2,0 GHz
nabízí časování
CL9-8-8-24
, což jsou vzhledem k taktům poměrně příznivá čísla. Oba paměťové moduly v kitu jsou spojeny k sobě přes veliký chladič, což bude patrně znemožňovat použití dalších paměťových modulů. Cena nebyla při uvedení zveřejněna.
