Diskuze: TSMC A14 bude mít 7,5krát vyšší výrobní kapacitu než Intel se 14A

slondyn

Level

dnes 12:41 (Upraveno)

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Výzkumný tým z Fudanské univerzity v Šanghaji vyvinul přelomovou energeticky nezávislou flash paměť s názvem „PoX“ (Poxiao), jejíž rychlost zápisu jednoho bitu dosahuje rekordních 400 pikosekund.

To z ní dělá nejrychlejší paměťové polovodičové zařízení na světě. Tato technologie má potenciál přinést revoluci v IT, protože přináší zásadní výhody:

Rychlost 25 miliard operací za vteřinu: Rychlostí zápisu 400 ps (0,4 nanosekundy) překonává i ty nejrychlejší volatilní operační paměti typu SRAM a DRAM, které běžně potřebují 1 až 10 nanosekund.

100 000× rychlejší než běžný disk: Oproti klasickým NAND flash pamětem v SSD discích nebo USB klíčenkách je tato technologie přibližně 100 000krát rychlejší.

Konec rozdělení na RAM a SSD: Protože je tato nová paměť extrémně rychlá a zároveň nevyžaduje elektrický proud k udržení dat (data v ní po vypnutí zůstanou), počítače budoucnosti by už teoreticky nemusely mít rozdělenou operační paměť a pevný disk. Vše by běželo na jednom univerzálním a bleskovém čipu.

Zajímavost ohledně výroby: Výzkumníci navíc publikovali úspěšnou integraci této technologie (využívající 2D materiály jako grafenový kanál) do stávajících průmyslových křemíkových platforem (CMOS). Díky tomu dokázali laboratorní vzorky vyrábět s překvapivě vysokou úspěšností (výtěžností přes 94 %).