Diskuze: TSMC A14 bude mít 7,5krát vyšší výrobní kapacitu než Intel se 14A

Don Q

Level

dnes 10:07

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

INTEL = velkovýrobna lží.

Pavel Matějka

Level

dnes 08:52

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

A je otázkou, kde bude proces 14A svými vlastnotmi - o výtěžnosti bych radši pár let nemluvil.

slondyn

Level

včera 12:41 (Upraveno)

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Výzkumný tým z Fudanské univerzity v Šanghaji vyvinul přelomovou energeticky nezávislou flash paměť s názvem „PoX“ (Poxiao), jejíž rychlost zápisu jednoho bitu dosahuje rekordních 400 pikosekund.

To z ní dělá nejrychlejší paměťové polovodičové zařízení na světě. Tato technologie má potenciál přinést revoluci v IT, protože přináší zásadní výhody:

Rychlost 25 miliard operací za vteřinu: Rychlostí zápisu 400 ps (0,4 nanosekundy) překonává i ty nejrychlejší volatilní operační paměti typu SRAM a DRAM, které běžně potřebují 1 až 10 nanosekund.

100 000× rychlejší než běžný disk: Oproti klasickým NAND flash pamětem v SSD discích nebo USB klíčenkách je tato technologie přibližně 100 000krát rychlejší.

Konec rozdělení na RAM a SSD: Protože je tato nová paměť extrémně rychlá a zároveň nevyžaduje elektrický proud k udržení dat (data v ní po vypnutí zůstanou), počítače budoucnosti by už teoreticky nemusely mít rozdělenou operační paměť a pevný disk. Vše by běželo na jednom univerzálním a bleskovém čipu.

Zajímavost ohledně výroby: Výzkumníci navíc publikovali úspěšnou integraci této technologie (využívající 2D materiály jako grafenový kanál) do stávajících průmyslových křemíkových platforem (CMOS). Díky tomu dokázali laboratorní vzorky vyrábět s překvapivě vysokou úspěšností (výtěžností přes 94 %).

Doplnění

In-Memory Computing (AI architektura): V AI čipech se data (např. váhy neuronové sítě) nahrají do paměti a pak se z nich primárně milionkrát čte, ale zápis (přepis) probíhá jen občas, když se model aktualizuje. PoX má neomezený počet cyklů pro čtení, takže v tomto režimu její omezený zápis nevadí.

Hybridní paměť (NVDIMM): PoX by fungovala po boku klasické menší a rychlé DDR. Klasická RAM by dělala tu nejtvrdší "špinavou" práci plnou neustálých přepisů, a do PoX by se odkládala jen data, která mají zůstat bezpečně uložena i po vypnutí PC.

Laboratorní vs. produkční realita: Těch 5,5 milionu cyklů je výsledek první verze laboratorního prototypu z Fudan University. Vědci publikovali, že samotný fyzikální princip (přenos horkých elektronů přes grafenový nanostupínek) materiál neničí tak fatálně jako u běžného flash disku. Očekávají proto, že optimalizací materiálů toto číslo v dalších generacích posunou o několik řádů výše.

Shrnuto: Jako přímá náhrada za DDR tyčinku do herního PC v poměru 1:1 je PoX kvůli životnosti nepoužitelná. Jako specializovaná paměť pro AI akcelerátory, kde se data mění jen občas, ale musí se číst rychlostí světla, je to však revoluce.