Společnost Samsung zahájila dodávky pamětí HBM4 svým partnerům. Ty dosahují přenosové rychlosti až 11,7 Gbps a do budoucna se počítá s ještě vyššími.
Výkonné servery a výpočetní karty v nich často spoléhají na paměti HBM. Nejnovější generace těchto pamětí HBM4 se nyní dostávají na trh a společnost Samsung oznámila, že zahájila jejich velkosériovou výrobu a dodávky svým partnerům. Zatímco paměťový čip je vyráběn 6. generací 10nm-class procesu (1c), řídící logika je vyráběna 4nm procesem. Výsledkem by měly být velmi výkonné a současně i efektivní paměti. Efektivita by měla být o 40 % vyšší. Využity jsou technologie jako TSV (Throught Silicon Via) a optimalizace PDN (Power Destribution Network), díky čemuž se rovněž zlepšilo vedení tepla o 30 %.
Paměti HBM4 od Samsungu dosahují vysokou přenosovou rychlost 11,7 Gbps, což je o 22 % více než 9,6 Gbps u předchůdců těchto pamětí, HBM3E. Podle Samsungu bude možné tyto paměti dostat až na 13 Gbps a dále zvýšit výkon pro práci s AI modely. Celková paměťová propustnost pamětí HBM4 by měla být 2,7× krát vyšší ve srovnání s pamětmi HBM3E, a to až na 3,3 TB/s. To je umožněno i tím, že jeden HBM4 čip má nyní 2048bitové rozhraní místo 1024bitového u pamětí HBM3E.
Díky 12vrstvé konstrukci Samsung nabízí HBM4 čipy v kapacitách 24 až 36 GB, nicméně do budoucna se počítá s 16vrstvou konstrukcí, a to by už mohl přinést 48GB kapacitu. Předpokládá se, že v roce 2026 stoupne produkce pamětí HBM na 3násobek ve srovnání s rokem 2025. Současně se očekává, že se v druhé polovině roku 2026 představí a začnou dodávat první vzorky pamětí HBM4E.
