Paměti RAM (strana 40 z 56)

V roce 2000 začalo úspěšné tažení grafických pamětí GDDR. Jejich druhá generace se objevila v roce 2002, třetí záhy v roce 2003 a čtvrtá se začne dostávat do povědomí na přelomu tohoto a příštího roku. Samsung vyvinul GDDR4 paměť schopnou neuvěřitelné přenosové rychlosti 10GB/s. Přes čip tedy projdou dvě DVD za vteřinu. Doposud nejrychlejší pamětí byla GDDR3 s rychlostí 1,6Gb/s na pin. Což při 32 pinech odpovídá rychlosti 6,4GB/s. Nová GDDR4 však jde mnohem dále a nabízí 2,5Gb/s na pin, tedy 10GB/s při 32 pinech. Čísla Gb/s si snadno lze převést na GHz, což znamená, že GDDR4 paměti pracují efektivně na 2,5GHz! K dosažení tak velkých taktů a přenosové rychlosti byly nápomocny technologie DBI (Data Bus Inversion) a Multi-Preamble, snižující prodlevy při přenosu dat. Výsledkem je tak nárůst přenosové rychlosti o 56%. Jen tak pro zajímavost, grafická karta s 256-bitovými pamětmi GDDR4 by měla propustnost pamětí 80GB/s! Samsung plánuje tento rok přijít i s 2,8Gb/s pam

Řada pamětí OCZ PC3200 a PC3500 Gold Gamer eXtreme Series s časováním 2-2-2-5 budou jako první paměti OCZ vybavovány novými heat-spreadery XTC. Nový design založený na tvaru včelích pláství má zaručit lepší ventilaci a rozptýlení tepla než konvenční heat-spreadery. Má především zajistit lepší proud vzduchu v oblastech dnes nazývaných "mrtvými prostory". Zlepšuje tedy odvod teplého vzduchu nejen od modulů pryč, ale také z prostorů mezi moduly. Paměti jsou k dispozici v provedeních 512MB nebo jako 1GB Dual Channel Kit (2×512MB). Moduly pracují s napětí 2,8V, přičemž doživotní záruka se na moduly vztahuje i při používání s napětím 3,0V ± 5%. Zdroj: www.digit-life.com , www.ocz.com

Společnost TwinMOS Technologies, která se zabývá převážně výrobou DRAM modulů a Flash pamětí, představuje nový paměťový modul. Jedná se o 172-pinový DDR2 533 modul. Ne však pro klasické desktopy, ale tento Micro SO DIMM modul je určen v prvé řadě pro sub a mini notebooky. Nové specifikační standardy daného DDR2 modulu umožňují snižovat cenu a prodávat DDR2 Micro DIMM modul za nízkou cenu. Ta se má pohybovat na úrovni starších a původních DDR pamětí. Nový DDR2 533 Micro SO - DIMM modul firmy TwinMOS bude k dostání ve dvou variantách a to 256MB a 512MB s použitím 32M*16 a 64M*8 DRAM čipů. Přesná cena nebyla zatím stanovena. Moduly mají být dostupné do konce roku. Zdroje: www.digit-life.com

Pamatujete si neúměrně vysoké ceny pamětí v letech 1999 až 2002? Já ano, kupoval jsem si v létě 2000 nový počítač a příplatek za zvýšení 32MB RAM na přijatelnějších 64MB mě stálo neuvěřitelných 1690Kč bez DPH (2062Kč s DPH). Jednoduchým přepočtem tak zjistíte, že 64MB modul stál kolem 4000-4200Kč včetně daně. Situace v tomto období se vysvětlovala především zemětřesením, které zasáhlo Taiwan 21. září 1999. To dosáhlo 7,6 stupně Richterovy škály. Ačkoli jeho následky pro Taiwan byly dosti značné (10.000 zraněných, 100.000 nemělo střechu nad hlavou), výroba polovodičových součástek tak drasticky ovlivněna nebyla. Například TSMC musela zničit kolem 17.000 vadných waferů, což byla asi dvoutýdenní produkce továrny, ale jinak nic vážného. Ovšem v roce 2002 se zjistilo, že škody způsobené zemětřesením (které pro výrobce polovodičů nebyly až tak přehnané) nejsou tím pravým důvodem, proč jsou paměti tak předražené. Za vše totiž mohla kartelová dohoda mezi

Zprávy zveřejněné společností Samsung Electronics oznamují, že společnost začíná produkovat své první DRAM (dynamic RAM) DDR2 čipy použitím 70nm výrobní technologie. Samsung je světově největší výrobce paměťových modulů a kromě již zmíněných 512Mbit DDR2 paměťových čipů , které budou vyráběny 70nm technologií, již delší dobu produkuje DRAM čipy 80nm a 90nm výrobním procesem. Zároveň společnost tvrdí, že výnosy budou téměř o 100% vyšší, než u 90nm výrobního procesu, neboť se na jeden wafer vejde mnohem více tranzistorů. Nižší náklady pak znamenají vyšší výnos. Když jsme u snižování, tak se sníží i spotřeba, na druhou stranu frekvence se bude zvyšovat. Konkurenční firmy Micron a Infineon Technologies tato zpráva zřejmě příliš nepotěší. Paměti však přijdou na trh až v průběhu druhé poloviny roku 2006. Zdroj: www.infoworld.com, www.techzonez.com

Firma Kingston, jeden z největších hráčů na poli operačních pamětí, včera oznámila novou řadu pamětí pro notebooky. Paměti ValueRAM PC2 – 6400 jsou určeny pro nejnovější kousky notebooků a konkrétně to jsou 667 MHz DDR2 SO-DIMM moduly. Co se velikostí týče, tak k dostání jsou paměti s kapacitami 256MB, 512MB a 1GB. Navíc jsou určeny jen pro nejnovější notebooky s čipovou sadou ATI Radeon Xpress 200, neboť je to zatím jediný čipset podporující 667Mhz SO - DIMM moduly. Intel přidá podporu pamětí s frekvencí 667Mhz s mobilním procesorem Yonah a čipsetem i945PM. Paměti jsou dostupné okamžitě, ale pouze v omezeném množství. Ceny jsou 1450Kč za 256MB model, 2175Kč za 512MB model a 4125Kč za model s kapacitou 1GB. Zdroje: www.tgdaily.com, www.kingston.com

Spansion je společný podnik vzniklý spojením oddělení pro výrobu Flash pamětí společností AMD a Fujitsu. Nyní představuje první 1Gbit single-chip paměť NOR vyráběnou poprvé 90nm MirrorBit procesem představeným minulý měsíc. Rozšiřuje tak rodinu pamětí MirrorBit GL. Nová paměť je zpětně kompatibilní se všemi předchozími generacemi (až do velikosti 2Mbit). Balení tedy nevyžaduje jiný design ostatních součástí, což umožní udržet cenu na přijatelnější úrovni, 1Gbit MirrorBit GL balení je kompatibilní s předchozími MirrorBit GL-M (230nm), MirrorBit GL-A (200nm), MirrorBit GL-N (110nm) zařízeními a splňuje standardy JEDEC. Paměť pracuje při napětí 3V, rychlost náhodného čtení činí 110ns, čtení paměťové stránky proběhne za 25ns díky 8-slovnímu bufferu. Je schopna operovat při teplotách -40 až +85°C. Nevyžaduje ECC, podporuje standardní paralelní rozhraní, což redukuje komplexnost a náklady. Dále je podporována bezpečnostní technologie ASP (Advanced Sector Protection). T

Infineon Technologies a Nanya Technology Corporation se dohodli na spolupráci při vývoji 60nm technologie při výrobě čipů DRAM na 300mm waferech. 60nm technologie přinese zejména mnohem více čipů na jeden wafer a tím sníží výrobní náklady. Spotřebitel se pak může těšit z nízkých cen (jejich pád dolů ale částečně ovlivní náklady na vývoj). Nová dohoda je rozšířením již existující spolupráce na vývoji 90nm a 70nm technologie. Rozšíření umožní oběma firmám zaujímat na trhu vyšší podíl (v případě úspěchu jak technologického, tak i marketingového), navíc o náklady se obě společnosti dělí, takže jsou poloviční. Vývoj probíhá především v Mnichově u Infineonu. Je na něm zaměstnáno kolem 100 lidí, přičemž první 60nm čipy z 300mm waferů by se měly objevit v roce 2008. Obě společnosti jsou rovněž partnery s firmou Inotera v Taoyuanu na Taiwanu. Ta vyrábí DRAM produkty, za měsíc vyrobí 60000 waferů. Zdroj: www.xbitlabs.com

Seiko Epson Corporation (zkráceně Epson) oznámila, že vyvinula první TFT-SRAM (16kbit) paměť na světě. Pod zkratkami se skrývá následující: TFT = Thin Film Transistor (obvykle se využívá u LCD displejů), SRAM = Static Random Access Memory (paměť která nepotřebuje obnovovat data, aby se uchovala, má nízké přístupové doby, proto se používá třeba jako cache). TFT-SRAM má být podle společnosti klíčovou komponentou malých, lehkých a flexibilních elektronických zařízení. Tranzistory jsou narozdíl od obvyklých TFT tranzistorů umístěny na plastickém substrátu místo skla, to je umožněno technologií SUFTLA (Surface Free Technology by Laser Ablation /Annealing). Paměť je velmi rychlá a podle společnosti pracuje s nízkou voltáží, mě osobně s ohledem na DRAM paměti přijde 6V docela mnoho (i když ono se to nedá zase takhle srovnávat). Nová paměť byla úspěšně vyzkoušena ve spolupráci s 8-bitovým asynchronním procesorem ACT11 Zdroj: www.epson.com

GeIL je znám jako výrobce velmi kvalitních pamětí, řada Value pak nabízí velmi slušný výkon za neméně slušnou cenu. Nyní je tak prvním výrobcem, který uvádí 800MHz moduly do nižšího cenového segmentu. První 800MHz moduly však byly představeny už na jaře. GeIL Value Series PC2-6400 mají garantovanou frekvenci 800MHz při časování CL5 5-5-15 s napětím standardních 1,8V až 2,4V. Budou nabízeny jako 512MB a 1GB moduly, stejně jako 1GB a 2GB Dual Channel Kit. Paměti jsou vybaveny hliníkovým heat spreaderem. Otázkou je, jaký bude výkon pamětí, nabízí šílené rezervy pro taktování, ale vysoké latence CL5 mohou výkon brzdit. Podobná situace totiž nastala u DDR2-400 modulů a DDR2-533, první měly latence CL3, druhé už CL4 a tak byl výkon obou pamětí velmi podobný. Nabídku rozšířily i moduly 667MHz, tentokrát řady Ultra nabízející velmi nízké latence. GeIL Ultra Series PC2-5300 nabízí latence CL3 4-4-8. To vše při napětí 2,1-2,4V. Tyto moduly jsou schopny korektně běžet pouze na chipsetu

Společnost Corsair má již delší dobu dohodu o spolupráci s firmou Asus a včera oznámila nové paměti vyvinuté právě za oné spolupráce. Nové DDR moduly pod označením XMS1024-3500LLPRO a TWINX2048-3500LLPRO jsou určeny pro platformu K8 firmy AMD. Navíc jsou specielně optimalizované pro dvě základní desky firmy Asus a to konkrétně A8N32-SLI Deluxe/WIFI a A8N32-SLI Deluxe, které jsou založené na čipové sadě nVidia nForce4 a nabízejí nám možnost zapojení dvou grafických karet do dvou slotů PCIe 16x Paměti obsahují 18 LED pro indikaci vytížení. Moduly mají kapacitu 1GB a během testu na daných deskách firmy Asus běžely na 437Mhz. Díky slušnému časování, které je 2-3-2-6-1T, mají paměti poskytovat vysoký výkon. TWINX2048-3500LLPRO nám tedy nabízí ve dvou kanálech 2GB paměti. Odvod tepla zajišťují hliníkové chladiče. Záruka je doživotní a paměti by měly být v blízké době k dostání skrze distributory společnosti Corsair. Zdroje: www.vr-zone.com, www.tomshardware.com, corsairmemory.com

Samsung vyvinul multi-chip package (MCP), který obsahuje 10 polovodičových čipů v jednom balení. Samsung prohlašuje, že je to první 10-čipový package na světě. Obsahuje dva 4GB NAND flash paměťové čipy, čtyři 512MB DRAM čipy a čtyři čipy 256MB NOR flash. Celková kapacita tak činí 11GB. Multifunkční čip může kombinovat paměti různých typů v závislosti na požadovaných vlastnostech. Očekává se, že přispěje k úspoře místa v mobilních telefonech či jiných přenosných zařízeních. První 6-čipový MCP byl představen již v roce 2003, 8-čipový pak na začátku tohoto roku. Podle výzkumů iSuppli Corp. dosáhl trh MCP čipů pro tento rok obratu 4,9 miliardy dolarů. Přitom v roce 2004 to bylo jen 700 milionů. Pro rok 2008 se očekává 7,6 miliardy. Zdroj: www.pcpro.co.uk

Na některých serverech se objevila zajímavá informace o nových grafických pamětech GDDR4. První grafický čip, kde by již tyto paměti měli být použity bude údajně G80 z dílny firmy nVidia. Tento čip by měl podporovat Shader Model 4.0. Mottem každého přechodu na novou generaci pamětí je zvýšení frekvence při nižších výrobních nákladech, tak tomu má být i v tomto případě. Nové GDDR4 paměti budou začínat na podobných rychlostech jako dnešní GDDR3. První kousky budou začínat kolem frekvence 800Mhz (1600 MHz efektivně), možná však i výše. Přechod se tak začíná plánovat na dobu, kdy současné GDDR3 paměti pomalu dosáhnou své špičky. Kromě levnější produkce budou GDDR4 paměti klást menší nároky na napájení. Na druhou stranu bude nová paměť zcela odlišná od současných GDDR3 a nebude ji zřejmě možné užít na starých kartách. Přinejmenším takový je dosavadní plán, nicméně je nutno brát vše s rezervou. Již zmiňovaný čip s pamětmi GDDR4 je plánován na rok 2006 Zdroj www

Firma Samsung svým konkurentům situaci rozhodně nezjednodušuje. Nedávno se dohodla s firmou Apple na dodání 4GB Flash pamětí a ti vytvořili nový iPod nano, který již nepoužívá miniaturní harddisk, nýbrž již zmiňovanou Flash paměť. V tomto úmyslu hodlá Samsung pokračovat, avšak už se nebude jednat jen o firmu Apple, ale o obecnou snahu protlačit více NAND Flash paměťové moduly na trh. Firma již vytvořila 2GB čip pomocí 50nm výrobního procesu, který obsahuje 16,6 miliard tranzistorů. Díky nové technologii pracuje Samsung na kartě s kapacitou 32GB, na které je právě 16 těchto 2GB čipů. Tyto nové 2GB (16Gbit) a vůbec obecně NAND Flash čipy mají nahradit ostatní data-uchovávající prostředky, prohlásil výkonný ředitel Samsungu. Využití se najde nejen v PDA, telefonech, MP3 přehrávačích či alternativách k diskům u notebooků, ale ve svých tvrzeních jde Samsung tak daleko, že plánují nahrazení pevných disků(ty však zvýší kapacitu přechodem na kolmý záznam dat). Od použití F

Firma A-data, která patří mezi největší výrobce paměťových modulů, představuje své FB-DIMM (Fully Buffered Dual In-Line Memory Module) paměťové moduly. Ty budou určeny především pro výkonné servery. Společnost oznámila, že paměti již byly schváleny a testovány několika výrobci serverů a komerčně dodávané budou na začátku roku 2006. Řadu FB-DIMM modulů budou tvořit varianty s 512MB, 1GB a 2GB a frekvencí 533Mhz a 667Mhz, konkrétně tedy PC2-5300F (667MHz CL5-5-5) a PC2-4300F (533MHz CL4-4-4). Firma A-data používá Advanced Memory Buffer (AMB) čip dodávaný od Intelu, Integrated Device Technology (IDT) a NEC. Paměťové čipy v současné době dodávají firmy Samsung, Elpida a Hynix. Intel dodává, že FB-DIMM technologie umožní stavbu systémů obsahujících až 192GB paměti díky šesti kanálům, osmi modulům na kanál a 4GB na jeden modul. Cena není doposud známá. Zdroj: www.adata.com.tw, www.xbitlabs.com

Společnost Samsung jako první na světě představila 256Mbit paměť UtRAM (Uni-Tranzistor Random Access Memory), ta je vyráběna 90nm výrobním procesem. UtRAM nabízí vysokou rychlost a hustotu dat pro mobilní telefony, počítače do ruky a jim podobná malá zařízení. Paměť pracuje na frekvenci 133MHz, čímž jí patří post nejrychlejší pseudo-SRAM paměti. To je 1,7× více než dosavadní pseudo-RAM paměti operující při frekvenci 80MHz. Masová produkce UtRAM pamětí by měla začít do konce roku 2005, první vzorky by měly být k dispozici ještě tento měsíc. Protože Pseudo-SRAM pamětí nedisponují pipeline architekturou, je jejich spotřeba ve srovnání s DRAM pamětmi minimální, Samsung to trefně nazývá jako "near-zero-power". Společnost také doufá, že jí tyto paměti pomohou zvýšit podíl na trhu pseudo-SRAM pamětí. Doposud má asi 30%, je plánován průměrně 33% přírůstek do roku 2008. Zdroj: www.samsung.com, www.theinquirer.net

Pretec prezentoval na IFA 2005 novou 4GB paměťovou kartu typu MMC s rychlostí 266x. Jedná se o nejrychlejší paměť tohoto druhu na světě. Pretec začal již tyto karty dodávat svým předním zákazníkům v ceně $699. Jedná se zatím o testovací kusy a hromadná výroba začne ve 4. čtvrtletí tohoto roku (2005). Maximální kapacita paměťových karet MMC specifikace 4.1 je 4 GB, při použití FAT32 a „Byte Adressingu“ (adresování po Bytech). U nových karet je ale možné použít i adresování po sektorech (Sector Adressing), při kterém se dosahuje teoretické maximální kapacity 2 TB. První karty s touto hranicí představila Mu-Card Alliance. Sektorové adresování se připravuje do nové specifikace MMC karet, na vývoji se podíli konsorcium MMCA právě s Mu-Card Alliance. Zdroj: www.digit-life.com

Japonská společnost Elpida Memory Inc. uvedla na trh 512Mbit paměťové čipy pro elektroniku typu digitální televize, set-top boxy či DVD rekordéry. Poptávka po pamětech do těchto zařízení s jejich rostoucí oblibou stoupá. Vyspělá 90nm výrobní technologie umožňuje snížení spotřeby o slušných 30%. Během příštího roku se právě očekává obrovská poptávka po rychlých 512Mbit čipech. Vyrábí se ve dvou verzích, EDD5116AFTA (32M×16bit) a EDD5108AFTA (64M×8bit). Přenosová rychlost čipu činí při časování CL3 400Mbps. V konfiguraci x16 tak dvojice čipů může dosáhnout přenosové rychlosti 1,6GB/s. Takto vysoké přenosové rychlosti dovolují použití čipů v oblastech, kde se pracuje s grafikou vysokého rozlišení. Paměti splňují normu RoHS, jsou dodávány v 66 pinovém pouzdře TSOP II. Pro navigační systémy automobilů plánuje společnost Elpida vývoj 512Mbit čipů schopných pracovat při teplotách -40°C až +85°C. Zdroj: www.elpida.com

Největší Japonský výrobce pamětí firma Elpida získala samostatnost a oprostila se od svých rodičů NEC a Hitachi. Společnost byla založena v roce 1999 jako společný projekt právě NEC a Hitachi. Firma NEC prodala celkem 9.600.000 akcií a její podíl ve společnosti Elpida klesl z 23.84% na 13.89%. Hitachi se uskromnilo jen o 4.000.000 akcií a její podíl činí nově 19.7% z 23.84%. Díky tomuto kroku ztratil holding NEC a Hitachi výkonnou moc ve společnosti. Novým majitelem akcí je firma Daiwa Securities SMBC Europe Limited. Elpida ale nehodlá měnit svůj budoucí vývoj a nadále bude spolupracoavt s oběma firmami NEC i Hitachi. V roce 2004 byla Elpida výrobcem číslo 5 na trhu DRAM pamětí a obsadila zhruba 6% trhu. Zdroj: www.elpida.com

Paměťové čipy Flash se využívají v mobilech, digitálních fotoaparátech, MP3 přehrávačích a narozdíl od počítačových pamětí jsou schopny si pamatovat data i po vypnutí. Vyrábí se verze NOR a NAND. AMD zatím produkuje paměti typu NOR, ty jsou však postupně vytlačovány pamětmi NAND. Společnost Infineon se chce prosadit právě na poli pamětí NAND, ovšem je poměrně malý hráč. Případná kooperace obou firem by měla přinést poloviční náklady na vývoj pro každou firmu a přístup na nový trh. AMD je na poli NOR pamětí těsně druhé za Intelem. Infineon je až šestý v produkci NAND pamětí, jeho podíl na trhu je mizivých 1,8%. Samsung, který je na místě prvním, má zastoupení 55%. Paměti NAND překonaly prodeje NOR pamětí v první čtvrtině roku 2005, toto čtvrtletí činí jejich podíl činil 55%. Trh Flash pamětí za druhé čtvrtletí vynesl 4,1 miliardy dolarů. NAND paměti se využívají v hudebních přehrávačích, digitálních fotoaparátech, videokamerách a občas i mobilních telefonech.

Jen co se DDR2 čipy konečně začaly ve velké míře prodávat, už Elpida vyvíjí jejich nástupce, 512Mbit čipy DDR3. Tyto čipy mají být stejně jako předchůdci používány v noteboocích, klasických PC i serverech. Navíc mají přinést v základu neuvěřitelné přenosové rychlosti 1333Mbit/s (tedy DDR3-1333 čipy). To je dvojnásobek dnes masově vyráběných čipů. Existují však i DDR2 čipy s frekvencemi nad 1GHz. Elpida používá "dual-gate" tranzistory, které mají zamezit vzniku zbytkového proudu, což je vedlejší efekt snahy běžet s nižším napětím při vyšším výkonu. Dual-gate tranzistory se používají u výkonných procesorů, ale použití v produktech DRAM je premiérové. Přestože DDR3 paměti budou nabízet mnohem vyšší přenosové rychlosti, mohou se pyšnit nižším provozním napětím 1,5V v porovnání s 1,8V pamětí DDR2. To přinese opět o něco sníženou spotřebu (ovšem pokud příliš nevzroste proudový odběr). Automatická kalibrace výstupního bufferu pak přináší lepší kontrolu nad