Grafiky s pamětí GDDR4 v roce 2006?
Na některých serverech se objevila zajímavá informace o nových grafických pamětech GDDR4. První grafický čip, kde by již tyto paměti měli být použity bude údajně G80 z dílny firmy nVidia. Tento čip by měl podporovat Shader Model 4.0. Mottem každého přechodu na novou generaci pamětí je zvýšení frekvence při nižších výrobních nákladech, tak tomu má být i v tomto případě. Nové GDDR4 paměti budou začínat na podobných rychlostech jako dnešní GDDR3. První kousky budou začínat kolem frekvence 800Mhz (1600 MHz efektivně), možná však i výše. Přechod se tak začíná plánovat na dobu, kdy současné GDDR3 paměti pomalu dosáhnou své špičky. Kromě levnější produkce budou GDDR4 paměti klást menší nároky na napájení. Na druhou stranu bude nová paměť zcela odlišná od současných GDDR3 a nebude ji zřejmě možné užít na starých kartách. Přinejmenším takový je dosavadní plán, nicméně je nutno brát vše s rezervou. Již zmiňovaný čip s pamětmi GDDR4 je plánován na rok 2006 Zdroj www
MUSHKIN Redline PC3500 DDR433, 1GB (DUAL 2x512MB)
Český trh je v nabídce rychlých pamětí s nízkou latencí až překvapivě skoupý. Máme to štěstí, že k dnešnímu testu dorazil velmi zajímavý produkt firmy Mushkin běžně dostupný i v ČR. Jde o zástupce řady Redline osazené čipy WINBOND UTT. V řadě Redline jsou k dispozici tři typy pamětí PC3200, PC3500 a PC4000 - liší se především výrobcem garantovanou frekvencí při časování 2-2-2.
Samsung buduje základy pro 32GB Flash paměti
Firma Samsung svým konkurentům situaci rozhodně nezjednodušuje. Nedávno se dohodla s firmou Apple na dodání 4GB Flash pamětí a ti vytvořili nový iPod nano, který již nepoužívá miniaturní harddisk, nýbrž již zmiňovanou Flash paměť. V tomto úmyslu hodlá Samsung pokračovat, avšak už se nebude jednat jen o firmu Apple, ale o obecnou snahu protlačit více NAND Flash paměťové moduly na trh. Firma již vytvořila 2GB čip pomocí 50nm výrobního procesu, který obsahuje 16,6 miliard tranzistorů. Díky nové technologii pracuje Samsung na kartě s kapacitou 32GB, na které je právě 16 těchto 2GB čipů. Tyto nové 2GB (16Gbit) a vůbec obecně NAND Flash čipy mají nahradit ostatní data-uchovávající prostředky, prohlásil výkonný ředitel Samsungu. Využití se najde nejen v PDA, telefonech, MP3 přehrávačích či alternativách k diskům u notebooků, ale ve svých tvrzeních jde Samsung tak daleko, že plánují nahrazení pevných disků(ty však zvýší kapacitu přechodem na kolmý záznam dat). Od použití F
A-Data začne dodávat FB-DIMM paměti
Firma A-data, která patří mezi největší výrobce paměťových modulů, představuje své FB-DIMM (Fully Buffered Dual In-Line Memory Module) paměťové moduly. Ty budou určeny především pro výkonné servery. Společnost oznámila, že paměti již byly schváleny a testovány několika výrobci serverů a komerčně dodávané budou na začátku roku 2006. Řadu FB-DIMM modulů budou tvořit varianty s 512MB, 1GB a 2GB a frekvencí 533Mhz a 667Mhz, konkrétně tedy PC2-5300F (667MHz CL5-5-5) a PC2-4300F (533MHz CL4-4-4). Firma A-data používá Advanced Memory Buffer (AMB) čip dodávaný od Intelu, Integrated Device Technology (IDT) a NEC. Paměťové čipy v současné době dodávají firmy Samsung, Elpida a Hynix. Intel dodává, že FB-DIMM technologie umožní stavbu systémů obsahujících až 192GB paměti díky šesti kanálům, osmi modulům na kanál a 4GB na jeden modul. Cena není doposud známá. Zdroj: www.adata.com.tw, www.xbitlabs.com
Samsung uvedl 256Mbit pseudo-SRAM (UtRAM)
Společnost Samsung jako první na světě představila 256Mbit paměť UtRAM (Uni-Tranzistor Random Access Memory), ta je vyráběna 90nm výrobním procesem. UtRAM nabízí vysokou rychlost a hustotu dat pro mobilní telefony, počítače do ruky a jim podobná malá zařízení. Paměť pracuje na frekvenci 133MHz, čímž jí patří post nejrychlejší pseudo-SRAM paměti. To je 1,7× více než dosavadní pseudo-RAM paměti operující při frekvenci 80MHz. Masová produkce UtRAM pamětí by měla začít do konce roku 2005, první vzorky by měly být k dispozici ještě tento měsíc. Protože Pseudo-SRAM pamětí nedisponují pipeline architekturou, je jejich spotřeba ve srovnání s DRAM pamětmi minimální, Samsung to trefně nazývá jako "near-zero-power". Společnost také doufá, že jí tyto paměti pomohou zvýšit podíl na trhu pseudo-SRAM pamětí. Doposud má asi 30%, je plánován průměrně 33% přírůstek do roku 2008. Zdroj: www.samsung.com, www.theinquirer.net
4GB paměťová karta Pretec MMC s rychlostí 266x
Pretec prezentoval na IFA 2005 novou 4GB paměťovou kartu typu MMC s rychlostí 266x. Jedná se o nejrychlejší paměť tohoto druhu na světě. Pretec začal již tyto karty dodávat svým předním zákazníkům v ceně $699. Jedná se zatím o testovací kusy a hromadná výroba začne ve 4. čtvrtletí tohoto roku (2005). Maximální kapacita paměťových karet MMC specifikace 4.1 je 4 GB, při použití FAT32 a „Byte Adressingu“ (adresování po Bytech). U nových karet je ale možné použít i adresování po sektorech (Sector Adressing), při kterém se dosahuje teoretické maximální kapacity 2 TB. První karty s touto hranicí představila Mu-Card Alliance. Sektorové adresování se připravuje do nové specifikace MMC karet, na vývoji se podíli konsorcium MMCA právě s Mu-Card Alliance. Zdroj: www.digit-life.com
Elpida uvádí 512Mbit DDR čipy pro zábavní elektroniku
Japonská společnost Elpida Memory Inc. uvedla na trh 512Mbit paměťové čipy pro elektroniku typu digitální televize, set-top boxy či DVD rekordéry. Poptávka po pamětech do těchto zařízení s jejich rostoucí oblibou stoupá. Vyspělá 90nm výrobní technologie umožňuje snížení spotřeby o slušných 30%. Během příštího roku se právě očekává obrovská poptávka po rychlých 512Mbit čipech. Vyrábí se ve dvou verzích, EDD5116AFTA (32M×16bit) a EDD5108AFTA (64M×8bit). Přenosová rychlost čipu činí při časování CL3 400Mbps. V konfiguraci x16 tak dvojice čipů může dosáhnout přenosové rychlosti 1,6GB/s. Takto vysoké přenosové rychlosti dovolují použití čipů v oblastech, kde se pracuje s grafikou vysokého rozlišení. Paměti splňují normu RoHS, jsou dodávány v 66 pinovém pouzdře TSOP II. Pro navigační systémy automobilů plánuje společnost Elpida vývoj 512Mbit čipů schopných pracovat při teplotách -40°C až +85°C. Zdroj: www.elpida.com
NEC a Hitachi prodaly části svých podílů v Elpida Memory Inc.
Největší Japonský výrobce pamětí firma Elpida získala samostatnost a oprostila se od svých rodičů NEC a Hitachi. Společnost byla založena v roce 1999 jako společný projekt právě NEC a Hitachi. Firma NEC prodala celkem 9.600.000 akcií a její podíl ve společnosti Elpida klesl z 23.84% na 13.89%. Hitachi se uskromnilo jen o 4.000.000 akcií a její podíl činí nově 19.7% z 23.84%. Díky tomuto kroku ztratil holding NEC a Hitachi výkonnou moc ve společnosti. Novým majitelem akcí je firma Daiwa Securities SMBC Europe Limited. Elpida ale nehodlá měnit svůj budoucí vývoj a nadále bude spolupracoavt s oběma firmami NEC i Hitachi. V roce 2004 byla Elpida výrobcem číslo 5 na trhu DRAM pamětí a obsadila zhruba 6% trhu. Zdroj: www.elpida.com
Crucial Ballistix PC3200 DDR400, 2x512MB, dual channel
Většina rychlých paměťových modulů dostupných na dnešním trhu je založenana na čipech Windbond UTT BH5/CH5, Samsung TCCD, TCC5 a Micron G. Ve volně navazujích profilech chceme postupně podrobněji představit zástupce jednotlivých kategorií. Jako první si vezmeme na mušku paměti postavené na posledním z jmenovaných - Crucial Ballistix DDR400.
AMD možná bude spolupracovat s firmou Infineon na NAND Flash pamětech
Paměťové čipy Flash se využívají v mobilech, digitálních fotoaparátech, MP3 přehrávačích a narozdíl od počítačových pamětí jsou schopny si pamatovat data i po vypnutí. Vyrábí se verze NOR a NAND. AMD zatím produkuje paměti typu NOR, ty jsou však postupně vytlačovány pamětmi NAND. Společnost Infineon se chce prosadit právě na poli pamětí NAND, ovšem je poměrně malý hráč. Případná kooperace obou firem by měla přinést poloviční náklady na vývoj pro každou firmu a přístup na nový trh. AMD je na poli NOR pamětí těsně druhé za Intelem. Infineon je až šestý v produkci NAND pamětí, jeho podíl na trhu je mizivých 1,8%. Samsung, který je na místě prvním, má zastoupení 55%. Paměti NAND překonaly prodeje NOR pamětí v první čtvrtině roku 2005, toto čtvrtletí činí jejich podíl činil 55%. Trh Flash pamětí za druhé čtvrtletí vynesl 4,1 miliardy dolarů. NAND paměti se využívají v hudebních přehrávačích, digitálních fotoaparátech, videokamerách a občas i mobilních telefonech.
Elpida oznamuje vývoj 512Mb DDR3 čipů
Jen co se DDR2 čipy konečně začaly ve velké míře prodávat, už Elpida vyvíjí jejich nástupce, 512Mbit čipy DDR3. Tyto čipy mají být stejně jako předchůdci používány v noteboocích, klasických PC i serverech. Navíc mají přinést v základu neuvěřitelné přenosové rychlosti 1333Mbit/s (tedy DDR3-1333 čipy). To je dvojnásobek dnes masově vyráběných čipů. Existují však i DDR2 čipy s frekvencemi nad 1GHz. Elpida používá "dual-gate" tranzistory, které mají zamezit vzniku zbytkového proudu, což je vedlejší efekt snahy běžet s nižším napětím při vyšším výkonu. Dual-gate tranzistory se používají u výkonných procesorů, ale použití v produktech DRAM je premiérové. Přestože DDR3 paměti budou nabízet mnohem vyšší přenosové rychlosti, mohou se pyšnit nižším provozním napětím 1,5V v porovnání s 1,8V pamětí DDR2. To přinese opět o něco sníženou spotřebu (ovšem pokud příliš nevzroste proudový odběr). Automatická kalibrace výstupního bufferu pak přináší lepší kontrolu nad
A-Data Vitesta DDR2 667MHz SO-DIMM moduly
Tato tchajwanská společnost nás v poslední době přímo zaplavuje novými produkty. Dnes jsou jimi moduly SO-DIMM využívané v noteboocích pracujících při vysoké frekvenci 667MHz. Připomenu jen, že se jedná o DDR2 moduly. Moduly poskytují maximální přenosovou rychlost 5,3GB/s. Vyrábí se v kapacitách 256MB, 512MB a 1GB. Paměti využívají 512Mbit čipy s latencemi 5-5-5. Napětí 1,8V zaručuje poloviční spotřebu elektřiny než je tomu u pamětí DDR na stejné frekvenci. Jsou zaměřeny na novou mobilní řadu Napa, kterou Intel představí na sklonku tohoto roku a která bude právě DDR2 667 paměti využívat. Zdroj: www.digitimes.com
Gigabyte představuje DDR-to-DDR2 Converter
Firma Gigabyte mě nikdy nepřestane svými výrobky udivovat. Nyní představila konvertor, který umožní osadit DDR paměti do DDR2 paměťového slotu. Menším problémem je pouze to, že je podporována jen základní deska Gigabyte GA-PT880 Pro Combo. Gigabyte GA-PT880 Pro Combo je motherboard postavený na chipsetu VIA PT880 Pro, podporuje procesory Intel pro patici LGA775 až po modely s 1066MHz FSB včetně. Dále nabízí PCI Express x16 slot stejně tak jako plnohodnotné AGP 8x. Kromě toho, že nabízí dva sloty pro grafickou kartu, nabízí i podporu dvou typů pamětí, dva DDR a dva DDR2 sloty. DDR SDRAM používají 184 pinů, DDR2 pak 240. DDR2 paměti potřebují 1,8V, DDR pak 2,6V. To vše konvertor zvládá. Umožňuje tak mít na desce čtveřici DDR pamětí, dvě v normálních DDR slotech a dvě v DDR-to-DDR2 konvertoru. Z tohoto důvodu trochu zamrzí, že deska nemá rovnou čtveřici DDR2 slotů. Mohli byste využít jak čtyři DDR2 paměti, tak i čtyři DDR v konvertorech. Počítač s touto deskou je při p
Micron Technology představuje VLP Mini DIMM paměťové moduly
Společnost Micron Technology, celosvětový dodavatel pamětí, polovodičových součástek, obrazových snímačů, Flash pamětí a mnoho dalšího, představuje své nízkoprofilové (Very Low Profile) Mini DIMM DDR2 paměti PC2-5300 a PC2-6400. Tyto unbuffered Mini DIMM DDR2 paměťové moduly budou k dostání ve velikostech 256MB, 512MB a 1GB a umožní návrhářům integrovat více modulů zabírajících stejně či méně prostoru. Menší velikost prospívá i lepšímu proudění vzduchu. Využití najdou hlavně v síťových serverech, routerech, hubech, switchích či sítových mostech. Hromadná výroba je plánovaná na čtvrté čtvrtletí tohoto roku a detailní technické informace jsou k dostání v manuálech na stránkách firmy Micron. Zdroje: www.micron.com, www.digit-life.com
A-Data uvádí MicroDIMM DDR2-533 paměti
Třetí výrobce DRAM pamětí na světě a první v Asii, firma A-Data, uvádí na trh novou řadu produktů, MicroDIMM DDR2-533 paměti. Ty jsou určeny pro mini notebooky a subnotebooky na platformě Intel Sonoma. Jsou založeny na referenčnímu designu PC2-4300 DDR2 MicroDIMM pamětí schváleným organizací JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council ). Jedná se tedy 214 pinové moduly 54×30mm, které jsou asi o 20% menší než 200 pinové paměti SO-DIMM používané v klasických noteboocích. Ty disponují rozměry 67,6×30mm. Oboje však pracují s napětím 1,8V. To je velké pozitivum proti pamětem DDR. Ty obyčejně nemají takovou propustnost (DDR2-533 má 4,3GB/s) a běží při vyšším napětí, což znamená i vyšší spotřebu, která je u notebooků nežádoucí. Paměti se nabízí v provedeních 256MB a 512MB. Mimo to A-Data vyrábí MicroDIMM DDR333 paměti. Podle vyjádření firmy A-Data se MicroDIMM moduly podílejí na trhu pamětí do notebooků asi 10%. Navíc se očekává, že MicroDIMM moduly budou o 15-25% draž
Samsung úspěšně tlačí DDR2 paměti do mainstreamu
Samsung Electronics, jeden z největších světových výrobců pamětí, ve čtvrtek oznámil, že poptávka po DDR2 čipech přerostla prodejnost klasických DDR1 čipů. Samsung v současné době vyrábí 256MB, 512MB a 1GB DDR2 paměti na frekvenci 533Mhz a zároveň 256MB a 512MB verze 667Mhz DDR2 pamětí. Ačkoli počáteční verze DDR2 pamětí nebyly o mnoho výkonnější než původní DDR paměti běžící na 400Mhz, u nových čipů je už rozdíl více než znatelný. Nespornou výhodou je také nižší spotřeba. Také proto tvořily čipy DDR2 40% veškerého prodeje pamětí za tento měsíc, kdežto DDR1 pouze 30%. Procenta prodejnosti by se měly ještě zvýšit ve prospěch DDR2. Dle odhadů a propočtů se letošní výdělek za DDR2 zvýší na 6,5 miliardy dolarů, zatímco loňský rok to bylo „pouze“ 1,5 miliardy. Příznivé prognózy má firma i do budoucna, neboť za rok 2006 by měli DDR2 paměti vytvořit zisk až 18 miliard amerických dolarů. Zdroj: www.computerworld.com, www.techzonez.com, www.anandtech.com
Hynix také začal s dodávkami FB-DIMM modulů
Zcela neohlášeně začala firma Hynix s dodávkami FB-DIMM modulů. První vzorky tak sice začala dodávat o půl roku později než konkurence, nicméně produkce by se měla začít v první polovině příštího roku. Hynix bohužel neuvedl žádné bližší podrobnosti o modulech. Je známo pouze to, že budou vyhovovat standardům JEDEC DDR2 SDRAM a že budou dodávány v kapacitách 512MB, 1GB a 2GB. FB-DIMM paměti používají DDR2 čipy, ale jinak jsou dost odlišné. Všechny signály (clockovací, datový, příkazový i adresní) do i z čipu DRAM jsou ukládány do vyrovnávací paměti Advanced Memory Buffer (AMB) na modulu. FB-DIMM také využívají sériové zapojení Point-to-Point mezi paměťovým řadičem a modulem stejně jako mezi moduly navzájem. To zvyšuje rychlost sběrnice a zkracuje dráhy zapojení. Dále zvyšuje počet modulů, které lze na jednu sběrnici zapojit, až na osm oboustranných DIMMů a to stále s nižší degradací signálu. Moduly FB-DIMM jsou primárně určeny pro servery na bázi procesorů Intel
A-Data představuje 4GB 150x SD kartu
A-Data Technology představuje vysokokapacitní Secure Digital 150x kartu. Ta nabízí přenosovou rychlost 22,5MB/s, když základní rychlost činí 150kB/s. Dodnes byla rekordmanem firma Pretec se svou 4GB kartou, ta ale byla "pouze" 133 rychlostní. 150 rychlostní SD karta také existuje, nabízí ji Transcend, ale má zase kapacitu "jen" 2GB. Všechny zmíněné karty používají 16Gbit NAND Flash paměťový čip typu SLC (Single-Level Cell). MLC (Multi-Level Cell) je podstatně pomalejší. Číselně řečeno, SLC čipy jsou o 200-500% rychlejší. Nové karty firmy Pretec jsou vybaveny 16Gbit čipy od Samsungu, vyráběné 73nm procesem. Předpokládá se produkce 5000 4GB karet měsíčně. Dopomoci k tomu má i snižující se cena Flash pamětí Samsungu díky jejich určení i pro mini HDD, kde je nízká cena více než žádoucí. Zdroj: www.a-data.com.tw
Nový paměťový modul TwinMOS DDRII - 533 Micro - DIMM
Společnost TwinMos vypustila nové PC2 - 4300/DDR2-422 Micro-DIMM paměťové moduly určené především pro mini-notebooky, které získávají stále větší oblibu mezi spotřebiteli. Podle zprávy založené na průzkumu trhu vzrostl podíl mini-notebooků zhruba na 17%. Oblíbenost mini-notebooků je největší v Japonsku. Minulý rok firma TwinMOS představila 172pinový PC2700/DDR333 Micro - DIMM modul, který byl kompatibilní nejen s většinou japonských mini notebooků, ale také s AsusTeK S52N mini-notebookem. Nyní však nastává čas DDR2 generace pamětí také pro Micro-DIMM moduly. Mini notebooky užší než jeden palec a lehčí než dva kilogramy s vestavěným pevným diskem vyžadovaly odlišné a hlavně menší paměťové jednotky než ty, které jsou v klasických noteboocích. Nový 214 pinový modul TwinMOS PC2-4300/DDR2-533 Micro-DIMM to vše splňuje. Příkon modulu je 1,8V což snižuje celkový příkon notebooku a tím zvyšuje délku provozu a výdrže baterií. Společně s TwinMOS ISO9001/ISO14001 je zajiš
Společnost Crucial ohlásila 1GHz paměťové moduly
Výrobce paměťových modulů, společnost Crucial Technology, v úterý ohlásil dostupnost paměťových modulů schopných běžet na frekvenci 1000 MHz, což ze společnosti činí čtvrtého výrobce, který takto rychlé moduly představil. Dále společnost doplnila několika produkty svou řadu Ballistix. V prohlášení společnosti je uvedeno: „Právě včas pro herní sezónu se řadě výkonných paměťových modulů Crucial Ballistix dostává upgradu – představujeme vysoce výkonné paměti Crucial Ballistix PC2-8000 (DDR2-1000), dosud nejrychlejší moduly z řady Ballistix. Vedle jiných produktů tak nyní řada Crucial's Ballistix zahrnuje paměťové moduly PC2-8000 (1000 MHz) s časováním CL5 5-5-15 při napětí 2,2 V, PC2-6400 (800 MHz) s časováním CL4 4-4-12 při napětí 2,1 V a moduly PC2-5300 (667 MHz) s časováním CL3-3-3-12 při napětí 2,1 V. V prodeji budou kapacity 1 GB a 512 MB. Přestože vysokorychlostní paměťové moduly na frekvencích 800 MHz – 1000 MHz v benchmarcích excelují, je třeba se kvů
Samsung začal s masovou výrobou paměťových čipů DDR2-667
Samsung Electronics oznámil, že začal s masovou produkcí paměťových čipů DDR2 s přenosovou kapacitou 667Mbps. Paměti DDR2-667 jsou určeny pro pracovní stanice, domácí počítače i notebooky a servery. Podle Samsungu přinášejí tyto paměti o 25% vyšší výkon než kterékoli konkurenční paměti. Paměti Samsung DDR2-667 jsou sladěny jak pro jednojádrové tak i pro dvoujádrové procesory. Samsung vyrábí paměti DDR2 již přes jeden rok, jako hlavní produkce ale byly doteď vyráběny čipy DDR2-400. Nyní jsou na trhu dostupné 256Mbit a 512Mbit moduly, do konce roku se očekává příchod i 1Gbit modulů. Nové paměti jsou vyráběny 90nm výrobní technologií na 300mm pláty.
Celosvětová produkce DRAM pamětí přesáhla v červnu 554 milionů
Podle DRAMeXchange se výroba DRAM pamětí za červen opět zvýšila, tentokrát o 4%. Činila 554 milionů 256Mbit-ekvivalentních jednotek. Podíl pamětí DDR klesl z májových 63% na červnových 61%. DDR2 paměti se tak blíží 30% podílu. Předpokládá se, že podíl DDR2 pamětí bude do konce tohoto roku kolem 45%. Měsíc Produkce v milionech jednotek Změna oproti předchozímu měsíci leden 05 448,8 - únor 05 471,0 4,95% březen 05 509,7 8,22% duben 05 516,4 1,31% květen 05 531,8 2,83% červen 05 554,2 4,33% Měsíc Produkce DDR Celkový podíl Produkce DDR2 Celkový podíl leden 05 317,3 milionů 70,69% 75,8 milionů 16,89% únor 05 327,45 milionů 69,52% 87,8 milionů 18,64% březen 05 345,31 milionů 67,75% 106,1 milionů 20,82% duben 05 337,36 milionů 65,33% 121,1 milionů 23,45% květen 05 336,8 milionů 63,33% 134,9 milionů 25,37% červen 05 335,6 milionů 60,56% 152,7 milionů 27,56% Zdroj: www.digitimes.com
Rambus uvádí 8GHz paměti XDR2
Druhá generace vysokorychlostních pamětí XDR od Rambusu byla představena. Má nahradit paměti GDDR3, od kterých se ale stále ještě mnoho slibuje. Na druhou stranu, XDR2 paměti mají být pětkrát rychlejší. Zatímco XDR paměti pokrývaly frekvence 3,2-6,4GHz, XDR2 začínají na 8GHz. XDR paměti bude používat například PlayStation 3. XDR2 by se měly na trhu objevit v roce 2007. Nyní se podívejme, co nového přináší. Microthreading Tato technologie umožňuje lépe využívat přenosovou rychlost datové sběrnice. Zatímco klasické DRAM paměti využívají toho, že posílají jednotně velké bloky paměti obsahující data, ve kterých se požadovaná data vyskytují (32byte balíčky obsahující třeba jen 8byte požadovaných dat), XDR2 paměť na to jde trochu chytřeji. Celý balíček totiž zaplní požadovanými daty, tedy náš 32byte balíček bude obsahovat třeba 4×8byte požadovaných dat. Nevezme tedy celý 32byte balík z paměti a ať si v něm procesor požadovaná data najde, ale najde požadovaná data, hodí
Moduly Micron 512MB a 1GB s výškou jen 18 milimetrů
Micron Technology uvedl na trh další ze svých pokročilých pamětí, jedná se o velmi nízké moduly VLP (Very Low Profile) s kapacitou 512MB a 1GB. Moduly MT18HTF6472Y-40EB3 s kapacitou 512MB a organizací 64Mbit x 72, a MT18HTF12872Y-40EB4 s kapacitou 1GB a organizací 128Mbit x 72 jsou klasické DDR2 paměti s podporou DDR2 a DDR. Jejich výška ale činí pouhých 18.3 mm, což je téměř třetina oproti klasickým rozměrům. Díky nízké výšce tak mohou výrobci systémů vyrábět menší a výkonnější systémy, případně zajistit lepší chlazení. Cena modulů není zatím známa. Zdroj: http://www.micron.com/products/modules/ddr2sdram/index.html