Články s výrobcem Infineon

Na závěr pracovního týdne tu máme jednu veskrze pozitivní zprávu. Německý Infineon s tříměsíčním předstihem oproti původnímu plánu spouští výrobu ve své zbrusu nové továrně zpracovávající 300mm wafery.

Nemoc Covid-19 v některých částech světa aktuálně nabírá na síle a to se týká i Malajsie, kde jsou důležité provozy světově významných výrobců. Jde tu konkrétně o Infineon Technologies AG, NXP Semiconductors NV a STMicroelectronics NV.

Samsung má velký zájem na tom postavit právě v Texasu moderní továrnu na výrobu čipů a do toho přichází zpráva, že největší zákazníci Austin Energy, mezi něž patří právě i Samsung, nyní museli své továrny vypnout kvůli nedostatku elektřiny.

Tento nový rekord má pochopitelně na kontě robot, i když lidé za ním nepokulhávají tak, jak by se mohlo zdát. Specializovaného robota postavila společnost Infineon, která se také hned pochlubila videem se značkou zpomalený záběr nutný.

Jeden z předsedů společnosti Infineon, která má nyní pod sebou německou Qimondu, v interview pro Sueddeutsche Zeitung řekl, že proběhly rozhovory s čínským investorem, jenž by měl poskytnout tolik potřebný kapitál, aby Qimonda mohla přežít do lepších dnů. Neupřesněný investor má navíc zájem o otevření nové továrny v Číně. Ovšem Qimonda již minulý měsíc vyhlásila platební neschopnost, a tak se o celou záležitost bude starat přiřazený správce Michael Jaffé. Infineon má očividně také problémy, jinak by se samozřejmě o Qimondu snažil postarat sám. Dle předsedy Maxe Kleye má tato firma dluhy již kolem 1 miliardy eur, které musí splatit v průběhu několika příštích let, což bude jistě nesnadné. Infineon se již také snažil se sloučit s jinými významnými společnostmi jako Freescale nebo NXP, ale to mu nevyšlo. Existují také snahy o vytvoření jednoho velkého evropského výrobce, avšak to dle pana Kleye nemá v této době valný smysl, když se výroba přesouvá do Asie. To al

Společnosti IBM, Chartered Semiconductor Manufacturing, Infineon Technologies AG a Samsung Electronics podepsaly balík smluv a dohod, jejichž součástí je závazek na společném využití kvalifikace a znalostí jednotlivých firem k vývoji nových čipů a technologií. Vývoj bude založen na 32 nm technologii. Součástí dohody je, že každý z výrobců může vyrábět ve vlastní továrně zařízení podle specifikace společné smlouvy o 32 nm procesu. Vývoj zařízení bude prováděn v továrně IBM na výrobu 300 mm waferů, jenž se nachází ve východním Fishkillu v New Yorku. Podobné smlouvy má s IBM uzavřeno více výrobců, např. společnost Advanced Micro Devices (AMD) má s IBM podobnou smlouvu na 45 nanometrů. Nynější plány AMD dále nesahají, což je možná jeden z důvodů, proč tuto smlouvu nepodepsala také. Zdroj: DailyTech, PC World

Společnosti IBM, Chartered Semiconductor Manufacturing, Infineon Technologies and Samsung Electronics oznámily, že mají první funkční obvody vyrobené low-power 45nm CMOS procesem a také dostupnost návrhářských kitů pro vybrané zákazníky. Na vývoji se podílely všechny čtyři společnosti. Hlavním centrem projektu a továrnou, kde byly první vzorky vyrobeny, bylo zařízení společnosti IBM v East Fishkill, New York, kde byly použity 300mm wafery. Předpokládá se, že 45nm low-power výrobní proces nasadí společnosti IBM, Chartered a Samsung do svých továren do konce roku 2007. Podle prvních testů nových obvodů by mělo být dosaženo nejméně o 30% vyššího výkonu. Zdroj: www.digitimes.com, www.xbitlabs.com

Společnost Infineon začne dodávat čipy pro nové americké elektronické cestovní pasy. Čip na pasu bude obsahovat informace o majiteli pasu a rovněž by to mělo pomoci v boji proti falešným dokladům. Informace uložené na čipu by měly být podle Infineonu velmi dobře chráněny. Zajištění bezpečnosti zahrnuje Basic Access Control (BAC), což vyžaduje speciální scanner, který čte zakódované informace na čipu. Samozřejmostí je autorizace této čtečky, aby mohl být obsah načten. Přenos dat funguje na vzdálenost asi 10 centimetrů. Celkem je k dispozici 50 bezpečnostních mechanizmů včetně vyspělých kódovacích algoritmů či aktivní ochranné vrstvy. Nové cestovní pasy již mají od konce roku 2005 někteří diplomaté a vládní zaměstnanci, nyní by se měly rozšířit i mezi běžné občany. Předpokládá se, že za první rok bude vydáno asi kolem 15 milionů nových pasů. Elektronické identifikační dokumenty jsou přitom používány již v Itálii, Finsku, Spojených arabských emirátech, Austrálii, Belgii, Německu či třeba Švédsku.

Možná si vzpomínáte na oznámení společnosti Infineon z konce loňského roku, že hodlá opustit trh pamětí a rozdělit se na dvě společnosti. Stát se tak mělo v červenci tohoto roku. Společnost si však pospíšila a v pátek bylo sděleno, že k tomuto rozdělení dojde již 1. května. Název společnosti, která bude mít paměťový trh na starost je Qimonda a bude v plném vlastnictví Infineonu. Tato dceřiná společnost bude sídlit v Mnichově a současných dlouhodobých zakázek se to tedy téměř nedotkne. Infineon se zaměří na automobilovou elektroniku, paměťové karty a mobilní komunikace. Zdroje: Infineon, dailytech

Infineon dnes oznámil rozhodnutí společnosti ATi, která si vybrala pro své nové VPU Mobility Radeon X1600 právě jeho 512 MBit paměťové moduly GDDR3. A jak už přídomek Mobility napovídá, paměti se budou spolu s čipy od ATi montovat do notebooků. 512Mbit čipy od Infineonu podporují provoz na frekvencích až 800 MHz na 32bitovém rozhraní. Jeden spoj tak dokáže přenést až 1,6 Gb za sekundu a Infineon rovněž poukazuje na použitou technologii výroby, která by měla snížit spotřebu elektrické energie, což je u mobilních zařízení velmi důležitá vlastnost. Moduly budou dodávány v balení FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array) s rozměry 11 x 14 a již teď se vyrábí ve velkém v Drážďanské a Richmonské továrně. Zdroj: DigiTimes

Společnost Infineon Technologies dnes oznámila dostupnost svého nejnovějšího řídícího logického jádra pro harddisky. To bylo vyvinuto ve spolupráci se společností Hitachi. Nová řídící logika je vyráběna 90nm CMOS technologií. Klíčovými rysy této technologie je například podpora kolmého záznamu, vyšší frekvence a přenosová rychlost, nižší spotřeba a další vlastnosti týkající se zvýšené odolnosti. Druhá varianta, která je v současné době ve vývoji, bude určena především pro zařízení využívající baterie. Nové 90nm řídící logické jádra bude možné vyrábět celosvětově a v současné době jsou připraveny na výrobu továrny v Taiwanu (společnost UMC) a v Drážďanech (hlavní továrna společnosti Infeneon). Zdroje: www.infineon.com, www.digit-life.com

Renomovaný výrobce počítačových pamětí se rozhodl, že se rozdělí ve dvě nezávislé společnosti. V době, kdy se ostatní firmy, aby zvládly finančně, časově a zdrojově čím dál více náročné výzkumy nových technologií, spíše spojují, Infineon se rozhodl jinak. Předsedající společnosti se nechal slyšet, že důvodem byl odlišný vývoj podnikových divizí. Jedna ze vzniklých firem se bude dále zabývat paměťovými produkty a druhá se zaměří spíše na logické čipy. Infineon se také rozmýšlí, zda nabídne akcie první firmy široké veřejnosti, zatím to vypadá jako jejich preferovaná strategie. Zdroj: TheInquirer

Německá společnost Infineon, která se mimo jiné zabývá výrobou a vývojem pamětí, zřejmě prodá své zařízení zaměřené právě na paměti. Kupující mají být společnosti Micron a Nanya, které tak získají paměťovou divizi. To oznámila v pondělí investiční banka Needham & Co. Pokud by se transakce uskutečnila, připadly by zařízení ležící v USA společnosti Micron a zbytek společnosti Nanya (ta by tedy získala i nejmodernější zařízení v Drážďanech). Celkový podíl společnosti Infineon Technologies je 13,5% z celkového DRAM trhu (procenta vycházejí z výzkumu analytické společnosti Gartner Dataquest). Tento podíl by se rozdělil, čímž by si noví majitelé výrazně polepšili. Žádná ze stran situaci zatím nekomentovala, ale bližší informace možná přijdou po schůzi finančního oddělení společnosti Infineon, která se bude konat již tento čtvrtek. Zdroj: www.xbitlabs.com

Infineon Technologies a Nanya Technology Corporation se dohodli na spolupráci při vývoji 60nm technologie při výrobě čipů DRAM na 300mm waferech. 60nm technologie přinese zejména mnohem více čipů na jeden wafer a tím sníží výrobní náklady. Spotřebitel se pak může těšit z nízkých cen (jejich pád dolů ale částečně ovlivní náklady na vývoj). Nová dohoda je rozšířením již existující spolupráce na vývoji 90nm a 70nm technologie. Rozšíření umožní oběma firmám zaujímat na trhu vyšší podíl (v případě úspěchu jak technologického, tak i marketingového), navíc o náklady se obě společnosti dělí, takže jsou poloviční. Vývoj probíhá především v Mnichově u Infineonu. Je na něm zaměstnáno kolem 100 lidí, přičemž první 60nm čipy z 300mm waferů by se měly objevit v roce 2008. Obě společnosti jsou rovněž partnery s firmou Inotera v Taoyuanu na Taiwanu. Ta vyrábí DRAM produkty, za měsíc vyrobí 60000 waferů. Zdroj: www.xbitlabs.com

Výrobce pamětí Infineon bude spolupracovat s Microsoftem. Bude totiž dodávat paměti, bezpečnostní čip a integrovaný čip pro bezdrátový ovladač. Konzole Xbox 360 by se měla na trhu objevit v listopadu. Bude mít paměť o kapacitě 512MB GDDR3 na frekvenci 700MHz a propustností 22,4GB/s při 128 bitové sběrnici. Ta je přístupná jak pro CPU, tak i pro GPU (tedy grafický čip). Infineon pro Microsoft navrhnul tento speciální paměťový řadič, systémovou desku i se softwarem. Bezpečnostní čip pak využívá vlastní ověřovací technologii. Čipy byly vyvíjeny v Německu, Itálii a Izraeli, vyráběny budou ve Francii. Zdroj: www.xbitlabs.com, www.infineon.com

Přestože ještě nebyla dokončena úplná specifikace paměťových modulů DDR3, Infineon již rozeslal první vzorky pamětí DDR3 předním výrobcům PC komponent. Tím je například firma Intel. Předpokládá se, že DDR3 paměti se objeví na trhu až ke konci roku 2006 a také, že by jejich prodej mohl převýšit prodeje DDR2 pamětí až kolem roku 2008. První DDR3 modul představil Samsung už v únoru tohoto roku, jednalo se o 512MB kousek. Stejně jako modul Samsungu, i moduly Infineon jsou taktovány na 1066MHz, přičemž se předpokládá vývoj DDR3 pamětí až ke hranici 1600MHz. Podle mého názoru bude časem znatelně překročena. Výhodou DDR3 pamětí oproti DDR2 je především nižší provozní napětí 1,5V oproti 1,8V, což by se mělo projevit na nižší spotřebě. Otázkou je ale proudový odběr, jež může spotřebu navýšit. Pozn. Spotřebu si spočítáte snadno podle vzorce: proudový odběr (A) × napětí (V) = spotřeba (W). Stávající DDR2 paměti Zdroj: www.theregister.co.uk

Nové DDR2-400 registered paměťové moduly společnosti Infineon mají kapacitu 8 GB a měly by se objevit u highendových serverů. Novinky staví na 2 Gbit (2 x 1 GBit) čipech, které byly zmenšeny na tloušťku pouhých 4,1 mm, tedy cca o 40 % nižší, nežli byl předchozí rekord.

Nové paměťové čipy společnosti Infineon označené jako Infineon 512 Mb GDDR3 mají rozměry 11 x 14 x 1,2 mm a mohou být nainstalovány kromě integrovaných řešení u notebooků také na grafické karty obsahující celkem až 512 MB - 1 GB paměti. Při pracovní frekvenci 800 MHz nabízí čipy průtok do 51,2 Gb/s na paměť. Předváděcí vzoky již byly rozeslány největším producentům, takže prvních grafických karet s 512 MB nebo možná i 1 GB paměti Infineon se prý máme dočkat ještě před koncem letošního roku.

Zatím nejmenší buňku paměti flash se podařilo vyvinout vývojářům společnosti Infineon. Měří pouhých 20 nm, je tedy 5000krát menší než průměr lidského vlasu. Technologii inženýři nazvali FinFET (Fin Field Effect Transistor). Elektrony, jež jsou nosiči elektrického náboje a tudíž i informace, jsou umístěny v nitridové vrstvě. Ta je izolována od křemíkového žebra a báze. Paměti flash se využívají zejména v přenosných zařízeních nebo coby paměťové karty. Za 16 let, kdy se používají, se stále zmenšuje velikost pamětí a roste kapacita. Dosud se soudilo, že fyzikální možnosti tradiční výroby polovodičových součástek končí někde mezi 30 a 20 nm. Infineon se tak dotknul té spodní hranice.

Společnost Infineon uvede na trh paměťové čipy typu 1-Gbit DDR SDRAM, jež jsou vyráběny 110 nm CMOS výrobním procesem. Jejich plocha je 160 mm2 a jedná se tudíž o nejmenší čipy tohoto typu na světě. Pro balení bude využívána vrstvená FBGA technologie s názvem „Dual Die Stach“, která umožňuje vyrobit druhý silikonový čip na povrchu prvního. Tím bude dosaženo vysoké paměťové hustoty a výborných elektrických a tepelných vlastností. Alternativně budou dostupné i moduly vyráběné vrstvenou technologií TSOP. Na trhu budou modely pracující na frekvencích 133 až 200 MHz, vyráběné v uspořádáních 2x, 4x a 8x. Pro servery budou k dispozici registered 2Gb/4Gb a unbuffered 2Gb moduly typu DIMM. Pro použití v noteboocích budou vyráběny 1Gb a 2Gb moduly typu SO-DIMM. Testovací vzorky všech typů budou nabízeny v průběhu čtvrtého čtvrtletí 2003, přičemž s větší výrobou se začne až v roce 2004. Zdroj: Digit-Life

Společnost Infineon tvrdí, že se jí podařilo vyrobit integrovaný obvod, jehož čip pracuje na frekvenci 110GHz. To znamená, že čip je taktován více než 34x rychleji, než nejvýkonnější procesor Pentium 4. Tohoto rekordu bylo údajně dosaženo v testovacích laboratořích v Mnichově.

Společnost Infineon Technologies AG začala používat svůj pokročilý 110 nm proces pro výrobu DRAM produktů. Prvními výrobky vyrobenými touto technologií budou paměťové moduly 256 Mbit DDR. Nový proces je výhodný pro výrobu velmi rychlých pamětí jako je DDR-II a dovoluje použít paměťovou hustotu až 1 Gb na čip. Použitím procesu dochází ke snížení velikosti čipů až o 30% a také k poklesu jejich výrobní ceny.

Společnosti Infineon Technology AG a Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) podepsali dohodu o prohloubení vzájemné spolupráce. Na základě této dohody poskytne společnost Infineon 110 nm výrobní technologii DRAM čipů společně s know-how 300 mm waferů společnosti SMIC. Ta zase na oplátku bude touto technologií vyrábět výlučně pro Infineon.